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Device-Geometry-Effect

先进工艺中几种二级效应解释

2024 年 5 月 10 日2024 年 5 月 7 日 作者 LSTK

目录 1. 阱邻近效应 2. PSE效应 3. LOD效应(STI应力效应) 4. OSE效应 1. 阱邻近效 … 阅读更多

分类 IC 标签 Device-Geometry-Effect 发表评论

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