跳至内容

藍色天空

  • 首页
  • Layout 设计
  • 信号完整性与仿真
  • 工艺与流程
  • 闲时生活
  • 关于本站

cap_model

PDN电容模型仿真分析

2024 年 6 月 21 日 作者 LSTK

本文通过对电容等效模型中的参数进行分析和仿真,旨在说明模型中不同参数对阻抗的影响,而且也给出了不同电容封装类型 … 阅读更多

分类 PI 标签 cap_model、 PDN、 Power integrity 发表评论

SI/PI 博客专栏

網際星空

浏览最多的文章

  • Virtuoso 版图小技巧 (50,575)
  • 一文搞懂闩锁效应(Latch up) (39,166)
  • Virtuoso(Layout XL)高亮神器 Net Tracer功能介绍及使用方法 (21,661)
  • 芯片隔离技术(LOCOS 与 STI) (20,614)
  • “Copy”的进阶之路(Virtuoso) (18,642)
  • Virtuoso快捷键教程 (18,025)
  • 浅谈芯片制造中为什么需要外延层(Epitaxial Layer)? (17,856)
  • 芯片流片中常见的两种方式:MPW与Full Mask (17,520)
  • 先进工艺中几种二级效应解释 (17,399)
  • 一文速通天线效应(Antenna Effect) (15,624)

热门标签

abstract ansys antenna Antenna effect bindkey calibre cap_fanout cap_location cdsenv cdsinit copy csf current DEF Device-Geometry-Effect display dnw EM ERC fullmask-mpw GOI guardring HCI IBIS IC-abbr-phrase latch-up LEF linux LOCOS lvs box matching NBTI netlist PDN Power integrity siwave skill skin-effect spisim tapeout techfile Virtuoso virtuoso-place-pin virtuoso tips VNC

正在播放

当前歌曲封面

正在载入

00:00 00:00
播放列表10 首

© 2024-2026 藍色天空.版权所有 . 皖ICP备2024045356号