跳至内容

藍色天空

  • 首页
  • Layout设计
  • 信号完整性与仿真
  • 工艺与流程
  • 闲时生活
  • 关于本站

IC

芯片流片中常见的两种方式:MPW与Full Mask

2025 年 5 月 3 日2025 年 3 月 27 日 作者 LSTK

本文始于2025年03月,主要讲解流片过程中常见的两种方式,并给出相关优缺点。另涉及相关的专业术语的地方,本文 … 阅读更多

分类 IC 标签 fullmask-mpw、 tapeout 发表评论

芯片隔离技术(LOCOS 与 STI)

2024 年 9 月 19 日 作者 LSTK

目录 1. LOCOS介绍 1.1 LOCOS定义 1.2 LOCOS技术中的”鸟嘴效应&#822 … 阅读更多

分类 IC 标签 LOCOS、 STI 发表评论

浅谈芯片制造中为什么需要外延层(Epitaxial Layer)?

2024 年 9 月 19 日 作者 LSTK

目录: 1. 外延层定义 2. 外延层的好处 3. 外延层常见的工艺参数 4. 问题与讨论 1. 外延层定义: … 阅读更多

分类 IC 标签 epitaxial layer 发表评论

SI/PI 博客专栏

網際星空

浏览最多的文章

  • 一文搞懂闩锁效应(Latch up) (16,822)
  • Virtuoso 版图小技巧 (15,527)
  • Virtuoso(Layout XL)高亮神器 Net Tracer功能介绍及使用方法 (8,711)
  • 芯片隔离技术(LOCOS 与 STI) (7,685)
  • 浅谈芯片制造中为什么需要外延层(Epitaxial Layer)? (7,358)

热门标签

abstract ansys Antenna effect bindkey calibre cap cap_fanout cap_location cap_model cdsenv cdsinit copy csf dc DEF Device-Geometry-Effect display epitaxial layer ERC fullmask-mpw guardring IBIS IC-abbr-phrase ir-drop latch-up Layout_XL LEF LOCOS lvs box matching netlist PDN Power integrity siwave spisim STI tapeout techfile Virtuoso virtuoso-place-pin virtuoso tips VNC voltus-fi

  © kaixinspace.com • 皖ICP备2024045356号-1